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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
77
左右 -235% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.8
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
23
读取速度,GB/s
2,936.9
17.5
写入速度,GB/s
1,884.0
12.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3037
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
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Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB RAM的比较
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
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