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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
31
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
31
读取速度,GB/s
13.4
15.7
写入速度,GB/s
8.0
9.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2817
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
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