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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
35
左右 34% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
35
读取速度,GB/s
13.4
15.6
写入速度,GB/s
8.0
12.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3060
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
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