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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
36
左右 36% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
36
读取速度,GB/s
13.4
15.7
写入速度,GB/s
8.0
12.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3032
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
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