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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
34
左右 32% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
34
读取速度,GB/s
13.4
15.3
写入速度,GB/s
8.0
11.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2659
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
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