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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
25
左右 8% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.2
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.7
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
25
读取速度,GB/s
13.4
19.2
写入速度,GB/s
8.0
15.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3680
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
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Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
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