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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
24
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
24
读取速度,GB/s
13.4
16.1
写入速度,GB/s
8.0
11.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3305
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB RAM的比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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