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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
29
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.7
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
29
读取速度,GB/s
13.4
13.7
写入速度,GB/s
8.0
11.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2967
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
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