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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
14
23
左右 -64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
25.1
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
14
读取速度,GB/s
13.4
25.1
写入速度,GB/s
8.0
19.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
4182
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
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Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
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