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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
30
左右 23% 更低的延时
需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
30
读取速度,GB/s
13.4
16.7
写入速度,GB/s
8.0
13.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3254
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB RAM的比较
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
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Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
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