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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
32
左右 28% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
32
读取速度,GB/s
13.4
16.6
写入速度,GB/s
8.0
13.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3049
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
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