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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
72
左右 68% 更低的延时
需要考虑的原因
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.6
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
72
读取速度,GB/s
13.4
14.6
写入速度,GB/s
8.0
8.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
1918
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
calculate
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
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