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Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
比较
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
总分
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
40
73
左右 -83% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.3
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
3.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
73
40
读取速度,GB/s
6.1
13.3
写入速度,GB/s
3.2
8.4
内存带宽,mbps
10600
10600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
1004
2229
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB RAM的比较
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB RAM的比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5402-462.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
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