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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
差异
规格
评论
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需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
40
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.7
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
33
读取速度,GB/s
12.3
19.7
写入速度,GB/s
8.9
14.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
3671
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
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