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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razões a considerar
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
40
Por volta de -21% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.7
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
33
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
19.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
14.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
3671
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
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