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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
23
左右 -5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
22
读取速度,GB/s
13.4
18.1
写入速度,GB/s
8.0
13.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3254
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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