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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
44
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.2
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
28
读取速度,GB/s
11.2
13.2
写入速度,GB/s
8.1
9.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
1989
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
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