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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
28
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.7
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.8
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
28
读取速度,GB/s
13.4
19.7
写入速度,GB/s
8.0
16.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3927
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
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