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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
比较
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
64
左右 41% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.3
15.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
64
读取速度,GB/s
15.5
17.3
写入速度,GB/s
12.0
10.0
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2283
2181
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB RAM的比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
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