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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
64
左右 64% 更低的延时
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.2
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
64
读取速度,GB/s
13.4
17.2
写入速度,GB/s
8.0
8.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
1965
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
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