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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
29
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
29
读取速度,GB/s
13.4
14.4
写入速度,GB/s
8.0
9.5
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2655
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
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