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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
36
左右 36% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
36
读取速度,GB/s
13.4
15.8
写入速度,GB/s
8.0
11.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2497
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
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