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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
25
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
22
读取速度,GB/s
12.1
16.8
写入速度,GB/s
8.6
13.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
3097
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
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