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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
55
左右 33% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.5
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
55
读取速度,GB/s
13.2
19.5
写入速度,GB/s
8.4
8.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2274
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
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