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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
46
左右 50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
11
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.7
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
46
读取速度,GB/s
13.4
11.0
写入速度,GB/s
8.0
8.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2481
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
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