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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
42
左右 45% 更低的延时
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
42
读取速度,GB/s
13.4
15.7
写入速度,GB/s
8.0
11.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2737
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
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