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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
31
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.3
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
31
读取速度,GB/s
12.1
16.3
写入速度,GB/s
8.6
15.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
3205
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
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Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
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Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
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