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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB

总分
star star star star star
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

总分
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB 需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    23 left arrow 71
    左右 68% 更低的延时
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB 需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.5 left arrow 13.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 8.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    23 left arrow 71
  • 读取速度，GB/s
    13.4 left arrow 15.5
  • 写入速度，GB/s
    8.0 left arrow 8.1
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2269 left arrow 1922

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较

Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
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Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
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内存RAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
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内存RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
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内存RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
内存RAM
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
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Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
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内存RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
内存RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
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内存RAM
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
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Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
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内存RAM
AMD AE34G2139U2 4GB
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Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
内存RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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内存RAM
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
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