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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Super Talent F21UB8GS 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Super Talent F21UB8GS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Super Talent F21UB8GS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
23
左右 -5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14
13.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
22
读取速度,GB/s
13.4
14.0
写入速度,GB/s
8.0
7.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2200
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Super Talent F21UB8GS 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
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