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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Comparez
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Super Talent F21UB8GS 8GB
Note globale
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Note globale
Super Talent F21UB8GS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Super Talent F21UB8GS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
23
Autour de -5% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
22
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
7.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2269
2200
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
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Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Super Talent F21UB8GS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
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