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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
32
左右 28% 更低的延时
需要考虑的原因
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
32
读取速度,GB/s
13.4
16.1
写入速度,GB/s
8.0
12.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3054
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
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