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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
30
左右 23% 更低的延时
需要考虑的原因
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.4
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
30
读取速度,GB/s
13.4
18.4
写入速度,GB/s
8.0
15.4
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3694
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
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Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
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