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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
23
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.8
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.0
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
19
读取速度,GB/s
13.4
19.8
写入速度,GB/s
8.0
18.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3543
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
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