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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
36
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
10.3
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
24
读取速度,GB/s
15.0
16.8
写入速度,GB/s
10.3
12.1
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
3009
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB RAM的比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
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