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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
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更快的读取速度,GB/s
16.8
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
23
读取速度,GB/s
13.4
16.8
写入速度,GB/s
8.0
9.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2726
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
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