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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
比较
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
总分
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
总分
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
71
左右 34% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
71
读取速度,GB/s
11.8
16.2
写入速度,GB/s
9.2
8.1
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2323
1979
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB RAM的比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
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