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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
比较
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
总分
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
总分
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
77
左右 64% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
5.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.6
13.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
77
读取速度,GB/s
13.3
13.6
写入速度,GB/s
8.5
5.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2213
1267
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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