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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
比较
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
总分
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
总分
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
79
左右 47% 更低的延时
需要考虑的原因
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.5
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
79
读取速度,GB/s
13.9
14.5
写入速度,GB/s
8.1
8.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2150
1850
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB RAM的比较
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A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
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