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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
比较
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
总分
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
总分
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
72
左右 42% 更低的延时
需要考虑的原因
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
72
读取速度,GB/s
13.9
16.6
写入速度,GB/s
8.1
8.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2150
1731
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
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