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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
比较
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
总分
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
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Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
42
左右 -133% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.1
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
18
读取速度,GB/s
13.9
20.1
写入速度,GB/s
8.1
19.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2150
3704
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
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