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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
比较
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Kingston 9905701-020.A00G 16GB
总分
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
总分
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
差异
规格
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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
42
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
33
读取速度,GB/s
13.9
14.9
写入速度,GB/s
8.1
10.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2150
2922
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB RAM的比较
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
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