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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
比较
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
总分
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
13.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
42
左右 -2% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.7
8.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
42
41
读取速度,GB/s
13.9
13.1
写入速度,GB/s
8.1
8.7
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2150
2094
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB RAM的比较
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Kingston KM0VW4-MID 8GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
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