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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
比较
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
总分
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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规格
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需要考虑的原因
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
42
左右 -121% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.5
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
19
读取速度,GB/s
13.9
19.5
写入速度,GB/s
8.1
15.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2150
3435
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
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