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Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
比较
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB vs Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
总分
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
总分
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
66
左右 38% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.2
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
14.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
66
读取速度,GB/s
14.1
15.9
写入速度,GB/s
8.2
8.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2240
1953
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB RAM的比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
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A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
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