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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
69
左右 46% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
13.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
69
读取速度,GB/s
13.2
16.2
写入速度,GB/s
8.4
8.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
1980
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Inmos + 256MB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
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