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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB

总分
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

总分
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB 需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB 需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    23 left arrow 37
    左右 -61% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.6 left arrow 13.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.4 left arrow 8.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    37 left arrow 23
  • 读取速度，GB/s
    13.2 left arrow 17.6
  • 写入速度，GB/s
    8.4 left arrow 13.4
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2143 left arrow 3038

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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
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