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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
37
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
22
读取速度,GB/s
13.2
17.7
写入速度,GB/s
8.4
14.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3237
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
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