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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
37
左右 -61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.9
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.5
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
23
读取速度,GB/s
13.2
19.9
写入速度,GB/s
8.4
19.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
4150
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PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
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