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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
37
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
29
读取速度,GB/s
13.2
17.0
写入速度,GB/s
8.4
13.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3408
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
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G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
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