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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
37
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.1
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.1
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
26
读取速度,GB/s
13.2
21.1
写入速度,GB/s
8.4
17.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3931
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
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